DMJ70H601SV3

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Especificaciones

Número de pieza

DMJ70H601SV3
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMJ70H601SV3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

600 mOhm @ 2.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

125W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

686pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20.9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

700V
Descripción detallada

N-Channel 700V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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DMJ70H601SK3-13

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated

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