C2M0160120D

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Especificaciones

Número de pieza

C2M0160120D
Fabricante / Marca

Wolfspeed
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

C2M0160120D.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 500µA
Vgs (Max)

+25V, -10V
Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo

TO-247-3
Serie

Z-FET™
RDS (Max) @Id, Vgs

196 mOhm @ 10A, 20V
La disipación de energía (máximo)

125W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

52 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

527pF @ 800V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

32.6nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

N-Channel 1200V 19A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Tc)

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C2M0025120D

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247

Fabricantes: Cree Wolfspeed

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