C2M0080170P

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Especificaciones

Número de pieza

C2M0080170P
Fabricante / Marca

Wolfspeed
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

C2M0080170P.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 10mA
Vgs (Max)

+25V, -10V
Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo

TO-247-4L
Serie

C2M™
RDS (Max) @Id, Vgs

125 mOhm @ 28A, 20V
La disipación de energía (máximo)

277W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-247-4
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

Not Applicable
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2250pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

120nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1700V
Descripción detallada

N-Channel 1700V 40A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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