CDM7-650 TR13

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Especificaciones

Número de pieza

CDM7-650 TR13
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 7A 650V DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CDM7-650 TR13.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 Ohm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.12W (Ta), 140W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

CDM7-650 TR13CT
CDM7-650 TR13CT-ND
CDM7-650TR13CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

15 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

754pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 7A (Ta) 1.12W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

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CDM2205-800FP SL

Descripción: MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP

Fabricantes: Central Semiconductor

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