AOV11S60

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Especificaciones

Número de pieza

AOV11S60
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AOV11S60.pdf
2.AOV11S60.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

4-DFN-EP (8x8)
Serie

aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

500 mOhm @ 3.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

8.3W (Ta), 156W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-PowerTSFN
Otros nombres

785-1683-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

545pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

650mA (Ta), 8A (Tc)

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TPN13008NH,L1Q

Descripción: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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