STL4N10F7

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Especificaciones

Número de pieza

STL4N10F7
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STL4N10F7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS (Max) @Id, Vgs

70 mOhm @ 2.25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.9W (Ta), 50W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

497-14989-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

408pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 4.5A (Ta), 18A (Tc) 2.9W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta), 18A (Tc)

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STL51N3LLH5

Descripción: MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT56

Fabricantes: STMicroelectronics

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