AON6482

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Especificaciones

Número de pieza

AON6482
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AON6482.pdf
2.AON6482.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.7V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-DFN (5x6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

37 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 63W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerSMD, Flat Leads
Otros nombres

785-1229-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

44nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 5.5A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Ta), 28A (Tc)

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Envío
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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

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AON6450

Descripción: MOSFET N-CH 100V 9A 8DFN

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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