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AON2401

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Especificaciones

Número de pieza

AON2401
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 8V 8A 6DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AON2401.pdf
2.AON2401.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

650mV @ 250µA
Vgs (Max)

±5V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-DFN-EP (2x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

22 mOhm @ 8A, 2.5V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres

785-1423-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1465pF @ 4V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 2.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

8V
Descripción detallada

P-Channel 8V 8A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount 6-DFN-EP (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

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AON2392

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 100V 8A 8DFN

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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