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AS4C16M16MD1-6BIN

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C16M16MD1-6BIN
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Paquete del dispositivo
    60-FPBGA (8x9)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Mb (16M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 60-FPBGA (8x9)
  • Frecuencia de reloj
    166MHz
AS4C16M16S-6TCNTR

AS4C16M16S-6TCNTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C16M16S-6TCN

AS4C16M16S-6TCN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C16M16S-6BINTR

AS4C16M16S-6BINTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C16M16MSA-6BIN

AS4C16M16MSA-6BIN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C16M16S-6TANTR

AS4C16M16S-6TANTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C16M16D2-25BCN

AS4C16M16D2-25BCN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C16M16D2-25BINTR

AS4C16M16D2-25BINTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16MD1-6BINTR

AS4C16M16MD1-6BINTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16D2-25BCNTR

AS4C16M16D2-25BCNTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16S-6BIN

AS4C16M16S-6BIN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16S-6TAN

AS4C16M16S-6TAN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16D2-25BIN

AS4C16M16D2-25BIN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

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AS4C16M16D1A-5TINTR

AS4C16M16D1A-5TINTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C16M16S-6TIN

AS4C16M16S-6TIN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C16M16MD1-6BCNTR

AS4C16M16MD1-6BCNTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

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AS4C16M16MD1-6BCN

AS4C16M16MD1-6BCN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

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AS4C16M16D1A-5TCNTR

AS4C16M16D1A-5TCNTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C16M16MSA-6BINTR

AS4C16M16MSA-6BINTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

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AS4C16M16D1A-5TCN

AS4C16M16D1A-5TCN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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