AS4C16M16D1A-5TIN

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Especificaciones

Número de pieza

AS4C16M16D1A-5TIN
Fabricante / Marca

Alliance Memory, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AS4C16M16D1A-5TIN.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

15ns
Suministro de voltaje

2.3 V ~ 2.7 V
Tecnología

SDRAM - DDR
Paquete del dispositivo

66-TSOP II
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Otros nombres

1450-1282
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

256Mb (16M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
Frecuencia de reloj

200MHz
Tiempo de acceso

700ps

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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

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AS4C16M16MSA-6BIN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.

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