SI1308EDL-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI1308EDL-T1-GE3
Fabricante / Marca

Adafruit
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI1308EDL-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-323
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

132 mOhm @ 1.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

400mW (Ta), 500mW (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

SI1308EDL-T1-GE3-ND
SI1308EDL-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

105pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.1nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 1.4A (Tc) 400mW (Ta), 500mW (Tc) Surface Mount SOT-323
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A (Tc)

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SI1304BDL-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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