NJVMJD122T4G-VF01

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Especificaciones

Número de pieza

NJVMJD122T4G-VF01
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NJVMJD122T4G-VF01.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

4V @ 8A, 80mA
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
Potencia - Max

1.75W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NJVMJD122T4G
NJVMJD122T4G-ND
NJVMJD122T4G-VF01OSTR
NJVMJD122T4GOSTR
NJVMJD122T4GOSTR-ND
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 1.75W Surface Mount DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 4A, 4V
Corriente - corte del colector (Max)

10µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

8A
Número de pieza base

MJD122

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NJVMJD122T4G-VF01".

NJVBUB323ZT4G

Descripción: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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