NJVMJB41CT4G

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Especificaciones

Número de pieza

NJVMJB41CT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NJVMJB41CT4G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

6A
Tensión - Desglose

D2PAK-3
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

100V
Serie

-
Estado RoHS

Cut Tape (CT)
Resistencia - Base (R1) (Ohms)

3MHz
Potencia - Max

2W
Polarización

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

NJVMJB41CT4GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

28 Weeks
Número de pieza del fabricante

NJVMJB41CT4G
Frecuencia - Transición

15 @ 3A, 4V
Descripción ampliada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 6A 3MHz 2W Surface Mount D2PAK-3
Descripción

TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

700µA
Corriente - corte del colector (Max)

1.5V @ 600mA, 6A
Corriente - colector (Ic) (Max)

NPN

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NJVMJB41CT4G".

NJVMJD122T4G-VF01

Descripción: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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