NJVMJD3055T4G

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Especificaciones

Número de pieza

NJVMJD3055T4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 60V 10A DPAK-4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NJVMJD3055T4G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

8V @ 3.3A, 10A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
Potencia - Max

1.75W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NJVMJD3055T4GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

2MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V
Corriente - corte del colector (Max)

50µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

10A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NJVMJD340T4G-VF01

Descripción: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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