MJD42C1

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Especificaciones

Número de pieza

MJD42C1
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 100V 6A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

MJD42C1.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

-
Potencia - Max

1.75W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

3MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 6A 3MHz 1.75W Through Hole I-PAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V
Corriente - corte del colector (Max)

50µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

6A
Número de pieza base

MJD42

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "MJD42C1".

MJD350T4

Descripción: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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