MJD41CT4G

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Especificaciones

Número de pieza

MJD41CT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJD41CT4G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
Potencia - Max

1.75W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

MJD41CT4GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

3MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 6A 3MHz 1.75W Surface Mount DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V
Corriente - corte del colector (Max)

50µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

6A
Número de pieza base

MJD41

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "MJD41CT4G".

MJD41CT4

Descripción: TRANS NPN 100V 6A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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