MJD350T4G

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Especificaciones

Número de pieza

MJD350T4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJD350T4G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

300V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

-
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
Potencia - Max

1.56W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

MJD350T4GOS
MJD350T4GOS-ND
MJD350T4GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 1.56W Surface Mount DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

500mA
Número de pieza base

MJD350

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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MJD340T4G

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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