FDMD8680

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Especificaciones

Número de pieza

FDMD8680
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMD8680.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-PQFN (5x6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4.7 mOhm @ 16A, 10V
Potencia - Max

39W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

FDMD8680-ND
FDMD8680OSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5330pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

73nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 66A (Tc) 39W Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

66A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDMD84100

Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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