FDMD86100

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Especificaciones

Número de pieza

FDMD86100
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 100V
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMD86100.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-Power 5x6
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

10.5 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max

2.2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

FDMD86100TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Source
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 100V 10A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FDMD86100".

FDME1034CZT

Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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