FDME905PT

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Especificaciones

Número de pieza

FDME905PT
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 6-UMLP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDME905PT.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

MicroFet 1.6x1.6 Thin
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

22 mOhm @ 8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-PowerUFDFN
Otros nombres

FDME905PTFSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2315pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 8A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

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Los siguientes son productos relacionados con "FDME905PT".

FDMD8680

Descripción: MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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