FCP600N65S3R0

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Especificaciones

Número de pieza

FCP600N65S3R0
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FCP600N65S3R0.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 600µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

SuperFET® III
RDS (Max) @Id, Vgs

600 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

54W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

465pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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