FCP9N60N-F102

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Especificaciones

Número de pieza

FCP9N60N-F102
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FCP9N60N-F102.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220F
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

385 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

83.3W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

FCP9N60N_F102
FCP9N60N_F102-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

9 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 9A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FCP600N60Z

Descripción: MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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