FCP290N80

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Especificaciones

Número de pieza

FCP290N80
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FCP290N80.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 1.7mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

SuperFET® II
RDS (Max) @Id, Vgs

290 mOhm @ 8.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

212W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

15 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3205pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

75nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 17A (Tc) 212W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FCP290N80".

FCP600N60Z

Descripción: MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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