2SK536-TB-E

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Especificaciones

Número de pieza

2SK536-TB-E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 50V 0.1A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SK536-TB-E.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-59
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

20 Ohm @ 10mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

200mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

2SK536-TB-EOSCT
Temperatura de funcionamiento

125°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

50V
Descripción detallada

N-Channel 50V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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2SK4197LS

Descripción: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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