2SK4209

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Especificaciones

Número de pieza

2SK4209
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SK4209.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-3PB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.08 Ohm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 190W (Tc)
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

75nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Descripción: MOSFET N-CH 50V 0.1A

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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