2SK4197FS

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Especificaciones

Número de pieza

2SK4197FS
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO-220F-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SK4197FS.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3.25 Ohm @ 1.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta), 28W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 3.3A (Tc) 2W (Ta), 28W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A (Tc)

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Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

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2SK4177-DL-1E

Descripción: MOSFET N-CH 1500V 2A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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