SUM65N20-30-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SUM65N20-30-E3
Fabricante / Marca

Vishay / Siliconix
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SUM65N20-30-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263 (D2Pak)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

30 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.75W (Ta), 375W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

SUM65N20-30-E3DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

130nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 65A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

65A (Tc)

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SUM70040E-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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