SI4634DY-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI4634DY-T1-E3
Fabricante / Marca

Vishay / Siliconix
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI4634DY-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

3150pF @ 15V
Tensión - Desglose

8-SO
VGS (th) (Max) @Id

5.2 mOhm @ 15A, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

TrenchFET®
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs

24.5A (Tc)
Polarización

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

15 Weeks
Número de pieza del fabricante

SI4634DY-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

68nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.6V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 30V 24.5A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30V
relación de capacidades

2.5W (Ta), 5.7W (Tc)

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SI4636DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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