IRFR1N60ATR

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Especificaciones

Número de pieza

IRFR1N60ATR
Fabricante / Marca

Vishay / Siliconix
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRFR1N60ATR.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

229pF @ 25V
Tensión - Desglose

D-Pak
VGS (th) (Max) @Id

7 Ohm @ 840mA, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs

1.4A (Tc)
Polarización

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

IRFR1N60ATR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 600V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

600V
relación de capacidades

36W (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRFR1N60ATR".

IRFR18N15DTRL

Descripción: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

Fabricantes: Infineon Technologies

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