BYG22AHE3/TR

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Especificaciones

Número de pieza

BYG22AHE3/TR
Fabricante / Marca

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.BYG22AHE3/TR.pdf
2.BYG22AHE3/TR.pdf
Modelo ECAD
Tensión - inversa de pico (máxima)

Avalanche
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

2A
Tensión - Desglose

DO-214AC (SMA)
Serie

-
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

-
Polarización

DO-214AC, SMA
Temperatura de funcionamiento - Junction

25ns
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Número de pieza del fabricante

BYG22AHE3/TR
Descripción ampliada

Diode Avalanche 50V 2A Surface Mount DO-214AC (SMA)
configuración de diodo

1µA @ 50V
Descripción

DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.1V @ 2A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

50V
Capacitancia Vr, F

-55°C ~ 150°C

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BYG21MHM3_A/I

Descripción: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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