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5078682Imagen AR3PJHM3/86AVishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3/86A

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AR3PJHM3/86A
  • Fabricante / Marca
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE AVALANCHE 600V 1.8A TO277A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    AR3PJHM3/86A.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Avalanche
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.8A (DC)
  • Tensión - Desglose
    TO-277A (SMPC)
  • Serie
    eSMP®
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    44pF @ 4V, 1MHz
  • Polarización
    TO-277, 3-PowerDFN
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    140ns
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    AR3PJHM3/86A
  • Descripción ampliada
    Diode Avalanche 600V 1.8A (DC) Surface Mount TO-277A (SMPC)
  • configuración de diodo
    10µA @ 600V
  • Descripción
    DIODE AVALANCHE 600V 1.8A TO277A
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.6V @ 3A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    600V
  • Capacitancia Vr, F
    -55°C ~ 175°C

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