TPH6R30ANL,L1Q

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Especificaciones

Número de pieza

TPH6R30ANL,L1Q
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TPH6R30ANL,L1Q.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 500µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOP Advance (5x5)
Serie

U-MOSVIII-H
RDS (Max) @Id, Vgs

6.3 mOhm @ 22.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 54W (Tc)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

TPH6R30ANLL1Q
Temperatura de funcionamiento

150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

55nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 66A (Ta), 45A (Tc) 2.5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

66A (Ta), 45A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "TPH6R30ANL,L1Q".

TPH6R003NL,LQ

Descripción: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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