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TPCP8001-H(TE85LFM

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Especificaciones

Número de pieza

TPCP8001-H(TE85LFM
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.TPCP8001-H(TE85LFM.pdf
2.TPCP8001-H(TE85LFM.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PS-8 (2.9x2.4)
Serie

U-MOSIII
RDS (Max) @Id, Vgs

16 mOhm @ 3.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta), 30W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 7.2A (Ta) 1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PS-8 (2.9x2.4)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "TPCP8001-H(TE85LFM".

TPCP8901(TE85L,F,M

Descripción: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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