TPCC8093,L1Q

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Especificaciones

Número de pieza

TPCC8093,L1Q
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TPCC8093,L1Q.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 500µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie

U-MOSVII
RDS (Max) @Id, Vgs

5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.9W (Ta), 30W (Tc)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

TPCC8093L1Q
Temperatura de funcionamiento

150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 21A (Ta) 1.9W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Ta)

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TPCC8002-H(TE12L,Q

Descripción: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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