TPC8012-H(TE12L,Q)

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Especificaciones

Número de pieza

TPC8012-H(TE12L,Q)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf
2.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOP (5.5x6.0)
Serie

π-MOSV
RDS (Max) @Id, Vgs

400 mOhm @ 900mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres

TPC8012-HDKR
TPC8012-HDKR-ND
TPC8012-HQDKR
TPC8012HTE12LQ
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 1.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Ta)

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TPC7.5AHM3_A/H

Descripción: TVS DIODE SMPC TO-277A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division

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