TPC6008-H(TE85L,FM

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Especificaciones

Número de pieza

TPC6008-H(TE85L,FM
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.TPC6008-H(TE85L,FM.pdf
2.TPC6008-H(TE85L,FM.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.3V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

VS-6 (2.9x2.8)
Serie

U-MOSVI-H
RDS (Max) @Id, Vgs

60 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

700mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

TPC6008-H(TE85LFM
TPC6008HTE85LFM
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 5.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.9A (Ta)

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TPC6107(TE85L,F,M)

Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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