TK50E08K3,S1X(S

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Especificaciones

Número de pieza

TK50E08K3,S1X(S
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 75V 50A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK50E08K3,S1X(S.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

12 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

TK50E08K3S1X(S
TK50E08K3S1XS
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

55nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

75V
Descripción detallada

N-Channel 75V 50A (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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TK55S10N1,LQ

Descripción: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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