SSM6L35FU(TE85L,F)

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Especificaciones

Número de pieza

SSM6L35FU(TE85L,F)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM6L35FU(TE85L,F).pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Paquete del dispositivo

US6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3 Ohm @ 50mA, 4V
Potencia - Max

200mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

SSM6L35FU(TE85LF)CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 3V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate, 1.2V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

180mA, 100mA

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Los siguientes son productos relacionados con "SSM6L35FU(TE85L,F)".

SSM6L16FETE85LF

Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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