SSM6L09FUTE85LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM6L09FUTE85LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM6L09FUTE85LF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.8V @ 100µA
Paquete del dispositivo

US6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

700 mOhm @ 200MA, 10V
Potencia - Max

300mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

SSM6L09FUTE85LFCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V 400mA, 200mA 300mW Surface Mount US6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

400mA, 200mA

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SSM6L12TU,LF

Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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