SSM3K56ACT,L3F

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3K56ACT,L3F
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM3K56ACT,L3F.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

CST3
Serie

U-MOSVII-H
RDS (Max) @Id, Vgs

235 mOhm @ 800mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-101, SOT-883
Otros nombres

SSM3K56ACT,L3F(B
SSM3K56ACT,L3F(T
SSM3K56ACTL3FTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A (Ta)

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SSM3K376R,LF

Descripción: SMALL LOW RON NCH MOSFETS ID: 4A

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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