SSM3J15CT(TPL3)

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3J15CT(TPL3)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM3J15CT(TPL3).pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

CST3
Serie

π-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs

12 Ohm @ 10mA, 4V
La disipación de energía (máximo)

100mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-101, SOT-883
Otros nombres

SSM3J15CT(TPL3)TR
SSM3J15CTL3FTR
SSM3J15CTL3FTR-ND
SSM3J15CTTPL3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9.1pF @ 3V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "SSM3J15CT(TPL3)".

SSM3J117TU,LF

Descripción: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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