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4678968Imagen RN1112(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112(T5L,F,T)

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    RN1112(T5L,F,T)
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RN1112(T5L,F,T).pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    SSM
  • Serie
    -
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Potencia - Max
    100mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-75, SOT-416
  • Otros nombres
    RN1112(T5LFT)TR
    RN1112T5LFT
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    250MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

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Descripción: X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

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