HN2D01JE(TE85L,F)

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Especificaciones

Número de pieza

HN2D01JE(TE85L,F)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

HN2D01JE(TE85L,F).pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.2V @ 100mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

80V
Paquete del dispositivo

ESV
Velocidad

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

1.6ns
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-553
Otros nombres

HN2D01JE(TE85LF)CT
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

2 Independent
Descripción detallada

Diode Array 2 Independent Standard 80V 100mA Surface Mount SOT-553
Corriente - Fuga inversa a Vr

500nA @ 80V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

100mA

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Los siguientes son productos relacionados con "HN2D01JE(TE85L,F)".

HN2A01FU-Y(TE85L,F

Descripción: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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