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2136494Imagen HN1C03F-B(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

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  • Número de pieza
    HN1C03F-B(TE85L,F)
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    HN1C03F-B(TE85L,F).pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    20V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    100mV @ 3mA, 30mA
  • Tipo de transistor
    2 NPN (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    SM6
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    300mW
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SC-74, SOT-457
  • Otros nombres
    HN1C03F-B(TE85LF)CT
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    30MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 300mW Surface Mount SM6
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    350 @ 4mA, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    300mA

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HN1D02F(TE85L,F)

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Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
HN1B04FE-Y,LF

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Descripción: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

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Descripción: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
HN1D02FU(T5L,F,T)

HN1D02FU(T5L,F,T)

Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Descripción: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

Descripción: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

Descripción: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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HN1D03FU,LF

HN1D03FU,LF

Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

Descripción: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

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HN1D03FTE85LF

HN1D03FTE85LF

Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74

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HN1D01FU,LF

HN1D01FU,LF

Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

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HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

Descripción: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

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HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Descripción: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

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HN1D01F(TE85L,F)

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Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

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HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

Descripción:

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HN1D04FUTE85LF

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Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

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HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

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HN1C01FYTE85LF

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Descripción: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

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HN1D02FU,LF

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Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

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HN1C01FE-GR,LF

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Descripción: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

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