2SK3128(Q)

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Especificaciones

Número de pieza

2SK3128(Q)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.2SK3128(Q).pdf
2.2SK3128(Q).pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-3P(N)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

12 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

150W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

66nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 60A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Ta)

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Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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