TSM6N60CH C5G

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Especificaciones

Número de pieza

TSM6N60CH C5G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM6N60CH C5G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251 (IPAK)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.25 Ohm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

89W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

TSM6N60CH C5G-ND
TSM6N60CHC5G
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1248pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 6A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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