TSM10NC65CF C0G

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Especificaciones

Número de pieza

TSM10NC65CF C0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM10NC65CF C0G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ITO-220S
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

900 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

45W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

TSM10NC65CF C0G-ND
TSM10NC65CFC0G
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1650pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

34nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 10A (Tc) 45W (Tc) Through Hole ITO-220S
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "TSM10NC65CF C0G".

TSM106IDT

Descripción: IC OPAMP GP 900KHZ 8SO

Fabricantes: STMicroelectronics

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