TSM085P03CS RLG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM085P03CS RLG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM085P03CS RLG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

8.5 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo)

14W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

TSM085P03CS RLGCT
TSM085P03CS RLGCT-ND
TSM085P03CSRLGCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3216pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 34A (Tc) 14W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

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TSM090N03CP ROG

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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