SKI10123

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Especificaciones

Número de pieza

SKI10123
Fabricante / Marca

Sanken Electric Co., Ltd.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 66A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SKI10123.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1.5mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

11.6 mOhm @ 33A, 10V
La disipación de energía (máximo)

135W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

SKI10123 DK
SKI10123TR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6420pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

88.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 66A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

66A (Tc)

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AON7423

Descripción:

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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