STW52NK25Z

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Especificaciones

Número de pieza

STW52NK25Z
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

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Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STW52NK25Z.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 150µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247-3
Serie

SuperMESH™
RDS (Max) @Id, Vgs

45 mOhm @ 26A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

497-4428-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4850pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

160nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 52A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

52A (Tc)

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STW54NM65ND

Descripción: MOSFET N-CH 650V 59A TO-247

Fabricantes: STMicroelectronics

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